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GD75PIT120C6SN_T4

更新时间： 2024-04-09 19:02:09
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斯达半导体 - STARPOWER /
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13页 272K
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C6.3.PIM

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GD75PIT120C6SN_T4 数据手册

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GD75PIT120C6SN_T4  
IGBT Module  
6
5
4
3
2
1
0
1
Diode  
EREC  
0.1  
VCC=600V  
IF=75A  
i:  
ri[K/W]: 0.0354 0.1947 0.1889 0.1710  
τi[s]: 0.01 0.02 0.05 0.1  
1
2
3
4
VGE=-15V  
Tj=125℃  
0.01  
0
10  
20  
30  
40  
50  
60  
0.001 0.01  
0.1  
t [s]  
1
10  
RG [Ω]  
Fig 9. Diode-inverter Switching Loss vs. RG  
150  
Fig 10. Diode-inverter Transient Thermal Impedance  
70  
VGE=15V  
60  
125  
100  
50  
25℃  
40  
30  
20  
10  
0
150℃  
75  
125℃  
50  
25℃  
25  
0
0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 1.1 1.2 1.3 1.4  
VF [V]  
0
0.5  
1
1.5  
2
2.5  
3
3.5  
VCE [V]  
Fig 12. IGBT-brake-chopper Output Characteristics  
1/26/2013 10/13 Rev.A  
Fig 11. Diode-rectifier Forward Characteristics  
©2013 STARPOWER Semiconductor Ltd.  
1...78910111213

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