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GD800HFL170A3S

更新时间： 2024-04-09 19:03:11

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斯达半导体 - STARPOWER		/
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描述
A3.1.Half Bridge

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GD800HFL170A3S

IGBT Module

STARPOWER

SEMICONDUCTOR

IGBT

GD800HFL170A3S

Molding Type Module

1700V/800A 2 in one-package

General Description

STARPOWER IGBT Power Module provides ultra

low conduction loss as well as short circuit ruggedness.

They are designed for the applications such as

high power converters.

Features















Low V_CE(sat)SPT+ IGBT technology

10μs short circuit capability

V

_CE(sat)with positive temperature coefficient

Low inductance case

Fast & soft reverse recovery anti-parallel FWD

AlSiC baseplate for high power cycling capability

AlN substrate for low thermal resistance

Equivalent Circuit Schematic

Typical Applications







High Power Converters

Motor Drivers

Wind Turbines

©2012 STARPOWER Semiconductor Ltd.

9/15/2012

1/6

Preliminary

12 3 4 5 6

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
GD800HFL170C3S	STARPOWER	C3.1-Half Bridge	获取价格
GD800HFT120C3S	STARPOWER	C3.1.Half Bridge	获取价格
GD800HFT170A3S	STARPOWER	A3.1.Half Bridge	获取价格
GD800HFT170C3S	STARPOWER	C3.1.Half Bridge	获取价格
GD800HTX65P4S	STARPOWER	P4.0-Tri-Pack	获取价格
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