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GD75HFX65C1S

更新时间： 2024-04-09 18:59:57
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斯达半导体 - STARPOWER /
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C1.0-Half Bridge

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GD75HFX65C1S  
IGBT Module  
IGBT Characteristics TC=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
IC=75A,VGE=15V,  
Tj=25oC  
Min. Typ. Max. Unit  
1.45 1.90  
Collector to Emitter  
Saturation Voltage  
IC=75A,VGE=15V,  
VCE(sat)  
1.60  
1.70  
5.8  
V
Tj=125oC  
IC=75A,VGE=15V,  
Tj=150oC  
Gate-Emitter Threshold IC=1.20mA,VCE=VGE,  
Voltage  
Collector Cut-Off  
Current  
Gate-Emitter Leakage  
Current  
VGE(th)  
ICES  
5.1  
6.5  
1.0  
V
Tj=25oC  
VCE=VCES,VGE=0V,  
mA  
nA  
Tj=25oC  
VGE=VGES,VCE=0V,  
Tj=25oC  
IGES  
100  
RGint  
Cies  
Internal Gate Resistance  
Input Capacitance  
Reverse Transfer  
Capacitance  
4
8.69  
Ω
nF  
VCE=25V,f=1MHz,  
VGE=0V  
Cres  
0.17  
nF  
QG  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
Gate Charge  
Turn-On Delay Time  
Rise Time  
Turn-Off Delay Time  
Fall Time  
Turn-On Switching  
Loss  
VGE=-15…+15V  
0.52  
80  
48  
360  
34  
μC  
ns  
ns  
ns  
ns  
VCC=600V,IC=75A,  
RG=30Ω,VGE=±15V,  
Tj=25oC  
Eon  
Eoff  
2.10  
2.61  
mJ  
mJ  
Turn-Off Switching  
Loss  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
Turn-On Delay Time  
Rise Time  
Turn-Off Delay Time  
Fall Time  
Turn-On Switching  
Loss  
Turn-Off Switching  
Loss  
80  
52  
390  
43  
ns  
ns  
ns  
ns  
VCC=600V,IC=75A,  
RG=30Ω,VGE=±15V,  
Tj=125oC  
Eon  
Eoff  
2.46  
3.24  
mJ  
mJ  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
Turn-On Delay Time  
Rise Time  
Turn-Off Delay Time  
Fall Time  
Turn-On Switching  
Loss  
Turn-Off Switching  
Loss  
80  
56  
420  
51  
ns  
ns  
ns  
ns  
VCC=600V,IC=75A,  
RG=30Ω,VGE=±15V,  
Tj=150oC  
Eon  
Eoff  
2.70  
3.42  
mJ  
mJ  
tP≤6μs,VGE=15V,  
Tj=150oC,VCC=360V,  
VCEM≤650V  
ISC  
SC Data  
380  
A
©2018 STARPOWER Semiconductor Ltd.  
12/15/2018  
3/9  
Preliminary  
1234567...9

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