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GD300HFY120C6S

更新时间： 2024-04-09 19:02:29
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斯达半导体 - STARPOWER /
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9页 194K
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C6.1-Half Bridge

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GD300HFY120C6S 数据手册

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GD300HFY120C6S  
IGBT Module  
IGBT Characteristics TC=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
IC=300A,VGE=15V,  
Tj=25oC  
Min. Typ. Max. Unit  
1.70 2.15  
Collector to Emitter  
Saturation Voltage  
IC=300A,VGE=15V,  
VCE(sat)  
1.95  
2.00  
6.0  
V
Tj=125oC  
IC=300A,VGE=15V,  
Tj=150oC  
Gate-Emitter Threshold IC=7.50mA,VCE=VGE,  
Voltage  
Collector Cut-Off  
Current  
Gate-Emitter Leakage  
Current  
VGE(th)  
ICES  
5.2  
6.8  
1.0  
V
Tj=25oC  
VCE=VCES,VGE=0V,  
mA  
nA  
Tj=25oC  
VGE=VGES,VCE=0V,  
Tj=25oC  
IGES  
400  
RGint  
Cies  
Internal Gate Resistance  
Input Capacitance  
Reverse Transfer  
Capacitance  
2.5  
31.1  
Ω
nF  
VCE=25V,f=1MHz,  
VGE=0V  
Cres  
0.87  
nF  
QG  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
Gate Charge  
Turn-On Delay Time  
Rise Time  
Turn-Off Delay Time  
Fall Time  
Turn-On Switching  
Loss  
VGE=-15…+15V  
2.33  
313  
57  
464  
206  
μC  
ns  
ns  
ns  
ns  
VCC=600V,IC=300A,  
RG=1.5Ω,VGE=±15V,  
Tj=25oC  
Eon  
Eoff  
9.97  
28.6  
mJ  
mJ  
Turn-Off Switching  
Loss  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
Turn-On Delay Time  
Rise Time  
Turn-Off Delay Time  
Fall Time  
Turn-On Switching  
Loss  
Turn-Off Switching  
Loss  
336  
66  
528  
299  
ns  
ns  
ns  
ns  
VCC=600V,IC=300A,  
RG=1.5Ω,VGE=±15V,  
Tj=125oC  
Eon  
Eoff  
21.1  
36.6  
mJ  
mJ  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
Turn-On Delay Time  
Rise Time  
Turn-Off Delay Time  
Fall Time  
Turn-On Switching  
Loss  
Turn-Off Switching  
Loss  
345  
68  
539  
309  
ns  
ns  
ns  
ns  
VCC=600V,IC=300A,  
RG=1.5Ω,VGE=±15V,  
Tj=150oC  
Eon  
Eoff  
mJ  
mJ  
25.6  
37.8  
1200  
tP≤10μs,VGE=15V,  
Tj=150oC,VCC=900V,  
VCEM≤1200V  
ISC  
SC Data  
A
©2019 STARPOWER Semiconductor Ltd.  
9/8/2019  
3/9  
SX0B  
1234567...9

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