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GD300HFY120C6S

更新时间: 2024-04-09 19:02:29
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斯达半导体 - STARPOWER /
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9页 194K
描述
C6.1-Half Bridge

GD300HFY120C6S 数据手册

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GD300HFY120C6S  
IGBT Module  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
VGE=15V  
VCE=20V  
Tj=25  
Tj=125℃  
Tj=150℃  
Tj=25℃  
Tj=125℃  
Tj=150℃  
0
0.5  
1
1.5  
2
2.5  
3
3.5  
5
6
7
8
9
10 11 12 13  
VCE [V]  
VGE [V]  
Fig 2. IGBT Transfer Characteristics  
140  
Fig 1. IGBT Output Characteristics  
100  
80  
60  
40  
20  
0
Eon Tj=125℃  
Eoff Tj=125℃  
Eon Tj=150℃  
Eoff Tj=150℃  
Eon Tj=125℃  
Eoff Tj=125℃  
Eon Tj=150℃  
Eoff Tj=150℃  
120  
100  
80  
60  
40  
20  
0
VCC=600V  
RG=1.5Ω  
VGE=±15V  
VCC=600V  
IC=300A  
VGE=±15V  
0
100 200 300 400 500 600  
IC [A]  
0
2
4
6
8
10 12 14 16  
RG [Ω]  
Fig 4. IGBT Switching Loss vs. RG  
9/8/2019 5/9 SX0B  
Fig 3. IGBT Switching Loss vs. IC  
©2019 STARPOWER Semiconductor Ltd.  

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