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GD300TLL120C2S

更新时间: 2024-09-26 17:01:47
品牌 Logo 应用领域
斯达半导体 - STARPOWER /
页数 文件大小 规格书
13页 328K
描述
C2.5.3-level

GD300TLL120C2S 数据手册

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GD300TLL120C2S  
IGBT Module  
STARPOWER  
SEMICONDUCTOR  
IGBT  
GD300TLL120C2S  
Molding Type Module  
1200V/300A 3-level in one-package  
General Description  
STARPOWER IGBT Power Module provides ultra  
low conduction loss as well as short circuit ruggedness.  
They are designed for the applications such as  
UPS.  
Features  
Low VCE(sat) SPT+ IGBT technology  
10μs short circuit capability  
V
CE(sat) with positive temperature coefficient  
Maximum junction temperature 175  
Low inductance case  
Fast & soft reverse recovery anti-parallel FWD  
Isolated copper baseplate using DBC technology  
Typical Applications  
Solar power  
UPS  
©2013 STARPOWER Semiconductor Ltd.  
1/8/2013  
1/13  
Preliminary  

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