Datasheet > GBU610

GBU610

更新时间： 2024-01-11 04:47:15

品牌	Logo	应用领域
美丽微 - FORMOSA		/
页数	文件大小	规格书
2页	822K
描述
SURFACE GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

GBU610 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PSFM-T4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.74	其他特性：	UL RECOGNIZED
最小击穿电压：	1000 V	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.1 V	JESD-30 代码：	R-PSFM-T4
最大非重复峰值正向电流：	175 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	6 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大重复峰值反向电压：	1000 V
子类别：	Bridge Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

GBU610 数据手册

4.0/6.0/8.0A SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER

Formosa MS

GBU4/GBU6/GBU8 SERIES

Features

ꢀ

Glass Passivated Die Construction

Low Forward Voltage Drop

High Current Capability

High Surge Current Capability

Designed for Surface Mount Application

Plastic Material – UL Recognition Flammability

Classification 94V-O

Mechanical Data

ꢀ

Case: G B U , Molded Plastic

Terminals: Plated Leads Solderable per

MIL-STD-202, Method 208

ꢀ

Polarity: As Marked on Case

Weight:8.0 grams (approx.)

Mounting Position: Any

Marking: Type Number

Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,

Maximum Ratings and Electrical Characteristics ^@T_A^{=25°C unless otherwise specified}

Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

GBU

GBU GBU

Unit

401

601

801

402

602

802

404

604

804

406

606

806

408

608

808

410

610

810

4005

6005

8005

Characteristic

Symbol

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

V^RRM

VRWM

V^R

100

200

140

400

280

600

420

800

560

1000

700

RMS Reverse Voltage

V^R(RMS)

I^O

Average Rectified Output Current

@T_A= 40°C

4.0/6.0/8.0

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms

Single half sine-wave superimposed on rated load

(JEDEC Method)

I^FSM

150/175/200

1.1

Forward Voltage per element

@I_F= 4.0/6.0/8.0A

V^FM

IRM

C^j

µA

Peak Reverse Current

@T_A= 25°C

5.0

500

At Rated DC Blocking Voltage

@T_A= 125°C

Typical Junction Capacitance per element (Note 1)

Typical Thermal Resistance per leg (Note 2)

Operating and Storage Temperature Range

100/211/211

45/94/94

RθJA

RθJL

20/17/21

4.0

°C/W

°C

T^j, T^STG

-65 to +150

Note: 1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.

2. Mounted on PC board with 13mm²copper pad.

http://www.formosams.com/

Document ID

DS-222645

Issued Date

2008/02/10

Revised Date

2010/03/10

Revision

Page.

TEL:886-2-22696661

Page 1

FAX:886-2-22696141

下载PDF

与GBU610相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
GBU6-10	FRONTIER	6A SILICON SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIERS	获取价格
GBU610(LS)	DIODES	6A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER	获取价格
GBU610A	YANGJIE	暂无描述	获取价格
GBU610AB1	YANGJIE	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2.8A, 1000V V(RRM), Silicon,	获取价格
GBU610B1	YANGJIE	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2.8A, 1000V V(RRM), Silicon,	获取价格
GBU610C	HY	SILICON BRIDGE RECTIFIERS	获取价格

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

GBU610

GBU610 技术参数

GBU610 数据手册

与GBU610相关器件

与GBU610相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

GBU610

GBU610 技术参数

GBU610 数据手册

与GBU610相关器件

与GBU610相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？