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GBU610G

更新时间： 2024-02-01 05:13:27

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纽航 - NIUHANG		局域网二极管
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描述
BRIDGERECTIFIERS

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GBU610G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PSFM-T4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.74	最小击穿电压：	1000 V
配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PSFM-T4
最大非重复峰值正向电流：	150 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	6 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大重复峰值反向电压：	1000 V
表面贴装：	NO	端子面层：	Pure Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

GBU610G 数据手册

Niu Hang

Electronic Co. Ltd

Production

Data Sheet

GBU6005G THRU GBU610G

BRIDGERECTIFIERS

Unit:(mm)

GBU

Ampers

6.0

50 THRU 1000 Volts

CURRENT

VOLTAGE

.437(11.1)

.430(10.9)

FEATURES

.139(3.53)

.133(3.37)

.126(3.2)*45°

CHAMFER

· Glass passivated die construction

.874(22.2)

.860(21.8)

· Low forward voltage drop

.154(3.9)

.146(3.7)

· High current capability

.752(19.1)

.720(18.3)

.232(5.9)

.224(5.7)

· High surge current capability

· Plastic material-UL flammability 94V-0

.091(2.30)

.077(1.95)

.401(10.2)

.392(9.80)

MECHANICAL DATA

Case: G B U , olded

plastic

.093(2.35)

.081(2.05)

Terminals: Plated Leads Solderable per

MIL-STD-202, Method 208

.720(18.29)

.680(17.27)

.106(2.7)

.091(2.3)

.047(1.2)

.035(0.9)

Polarity: As Marked on Case

Mounting Position: Any

Marking: Type Number

.022(.56)

.018(.46)

.210 .210 .210

Lead Free: For RoHS / Lead Free Version

.190 .190 .190

(5.3) (5.3) (5.3)

(4.8) (4.8) (4.8)

(TA=25°C(UNLESS OTHERWISE NOTED)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Single phase,half wave,60Hz,resistive or inductive load.For capacitive load,derate current by 20%

SYMBOL GBU6005G GBU601G GBU602G GBU604G GBU606G GBU608G GBU610G UNIT

CHARACTERISTICS

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltag

Maximum RMS Voltag

100

200

400

600

800

1000

VRRM

VRMS

VDC

140

200

280

400

420

600

560

800

700

100

1000

Maximum DC Blocking Voltage

6.0

3.0

Maximum Average Forward (with heatsink Note 2)

I(AV)

Rectified Current

@ TC=100℃ (without heatsink)

Peak Forward Surage Current

IFSM

150

8.3ms Single Half Sine-Wave

Super Imposed on Rated Load (JEDEC Method)

1.0

1.1

@IF=3A

Forward Voltage per element

@IF=6A

VFM

10.0

500

Maximum DC Reverse Current

at Rated DC Blocking Voltage

@ TJ=25℃

@ TJ=125℃

I²t

A²s

℃

I²t Rating for Fusing (t<8.3ms)

Typical Junction Capacitance Per Element (Note1)

Operating Temperature Range

C_J

T_J

-55 to +150

STG

Storage Temperature Range

℃

NOTES: 1.Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.

2.Device mounted on 50mm*50mm*1.6mm cu plate heatsink.

Rev.:AA

Page: 1 of 3

Date:2014/10/20

http://www.dgniuhang.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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