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GBU610C

更新时间： 2024-01-12 22:53:35

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描述
SILICON BRIDGE RECTIFIERS

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GBU610C 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PSFM-T4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.74	其他特性：	UL RECOGNIZED
最小击穿电压：	1000 V	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.1 V	JESD-30 代码：	R-PSFM-T4
最大非重复峰值正向电流：	175 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	6 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大重复峰值反向电压：	1000 V
子类别：	Bridge Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

GBU610C 数据手册

GBU6005C thru GBU610C

REVERSE VOLTAGE

FORWARD CURRENT - 6.0 Amperes

- 50 to 1000Volts

SILICON BRIDGE RECTIFIERS

GBU-C

FEATURES

.156(3.95)

.148(3.75)

●Surge overload rating -175 amperes peak

.874(22.2)

.860(21.8)

3.2*3.2

CHAMFER

●Ideal for printed circuit board

●Reliable low cost construction utilizing

molded plastic technique

.154(3.9)

.146(3.7)

.752(19.1)

.720(18.3)

.232(5.9)

.224(5.7)

●Plastic material has U/L

flammability classification 94V-0

.079(2.0)

.063(1.6)

●Mounting postition:Any

.100(2.54)

.085(2.16)

.126(3.2)

.720(18.29)

.680(17.27)

.114(2.9)

.080(2.03)

.065(1.65)

.047(1.2)

.035(0.9)

.022(.56)

.018(.46)

.210 .210 .210

.190 .190 .190

(5.3) (5.3) (5.3)

(4.8) (4.8) (4.8)

Dimensions in inches and (milimeters)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave ,60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%

GBU

6005C

GBU

601C

GBU

602C

GBU

604C

GBU

606C

GBU

608C

GBU

610C

SYMBOL

UNIT

CHARACTERISTICS

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

VRRM

VRMS

VDC

100

200

140

200

400

280

400

600

420

600

800

560

800

1000

700

Maximum DC Blocking Voltage

100

1000

6.0

2.8

Maximum Average Forward (with heatsink Note 2)

I(AV)

Rectified Current

@ TC=100℃ (without heatsink)

Peak Forward Surage Current

IFSM

175

8.3ms Single Half Sine-Wave

Super Imposed on Rated Load (JEDEC Method)

1.0

Maximum Forward Voltage at 3.0A DC

10.0

500

Maximum DC Reverse Current

at Rated DC Blocking Voltage

@ TJ=25℃

@ TJ=125℃

I²t

A²s

I²t Rating for Fusing (t<8.3ms)

127

Typical Junction Capacitance Per Element (Note1)

Typical Thermal Resistance (Note2)

Operating Temperature Range

RθJC

℃/W

℃

2.2

-55 to +125

-55 to +150

Storage Temperature Range

TSTG

℃

NOTES: 1.Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.

2.Device mounted on 75mm*75mm*1.6mm cu plate heatsink.

~ 283 ~

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