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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | R-PSIP-T4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.63 | 最小击穿电压： | 800 V |
| 配置： | BRIDGE, 4 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | BRIDGE RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1 V |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T4 | 最大非重复峰值正向电流： | 50 A |
| 元件数量： | 4 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 最大输出电流： | 2 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 最大重复峰值反向电压： | 800 V |
| 子类别： | Bridge Rectifier Diodes | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| GBJ2M | WTE |
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2.0A GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER |
|
| GBJ2M | CHENG-YI |
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SILICON BRIDGE RECTIFIERS GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS |
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| GBJ2M | SECOS |
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2.0 AMP Glass Passivated Bridge Rectifiers |
|
| GBJ2M | WON-TOP |
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Single In-Line |
|
| GBJ2M-LF | WTE |
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Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, 1000V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, GBL, |
|
| GBJ30 | NELLSEMI |
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Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier, 30A |
|
| GBJ30_17 | NELLSEMI |
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Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier |
|
| GBJ3004 | NELLSEMI |
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Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier |
|
| GBJ3006 | NELLSEMI |
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Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier |
|
| GBJ3008 | NELLSEMI |
获取价格 |
Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier |
|
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