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GBJ2M

更新时间： 2024-11-16 14:52:11
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4页 139K
描述
Single In-Line

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GBJ2M 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Active包装说明：R-PSIP-T4
针数：4Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.7
Is Samacsys：N其他特性：UL RECOGNIZED, HIGH RELIABILITY
最小击穿电压：1000 V配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.1 VJESD-30 代码：R-PSIP-T4
JESD-609代码：e0最大非重复峰值正向电流：60 A
元件数量：4相数：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：1000 V子类别：Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

GBJ2M 数据手册

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®
GBJ2A – GBJ2M  
2.0A GLASS PASSIVATED SINGLE PHASE BRIDGE RECTIFIER  
WON-TOP ELECTRONICS  
Features  
Glass Passivated Die Construction  
Low Forward Voltage Drop  
High Current Capability  
High Reliability  
High Surge Current Capability  
Ideal for Printed Circuit Boards  
Recognized File # E157705  
A
H
GBL  
Dim  
A
B
C
D
E
Min  
19.20  
10.50  
3.00  
Max  
21.20  
11.50  
4.00  
B
D
E
+
~
~
-
G
P
12.70  
2.00  
15.00  
3.00  
J
G
H
J
1.20  
1.80  
Mechanical Data  
P
P
2.50 x 45°  
Case: GBL, Molded Plastic  
Terminals: Plated Leads Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
Polarity: As Marked on Body  
Weight: 2.0 grams (approx.)  
Mounting Position: Any  
0.90  
0.90  
0.40  
4.80  
1.20  
1.10  
0.60  
5.30  
K
L
C
P
All Dimensions in mm  
Marking: Type Number  
Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,  
K
Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 4  
L
Maximum Ratings and Electrical Characteristics @TA=25°C unless otherwise specified  
Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%.  
Characteristic  
Symbol  
GBJ2A GBJ2B GBJ2D GBJ2G GBJ2J GBJ2K GBJ2M Unit  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
VRRM  
VRWM  
VR  
50  
35  
100  
70  
200  
140  
400  
600  
420  
800  
560  
1000  
700  
V
RMS Reverse Voltage  
VR(RMS)  
IO  
280  
2.0  
V
A
Average Rectified Output Current  
@TA = 25°C  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single Half Sine-Wave Superimposed on  
Rated Load (JEDEC Method)  
IFSM  
60  
A
Forward Voltage per leg  
@IF = 1.0A  
VFM  
IRM  
1.05  
V
Peak Reverse Current  
At Rated DC Blocking Voltage  
@TA = 25°C  
@TA = 125°C  
5.0  
300  
µA  
I2t Rating for Fusing (t < 8.3ms)  
I2t  
15  
25  
A2s  
pF  
Typical Junction Capacitance (Note 1)  
CJ  
Thermal Resistance Junction to Ambient (Note 2)  
Thermal Resistance Junction to Case (Note 2)  
RθJA  
RθJC  
40  
12  
°C/W  
°C  
Operating and Storage Temperature Range  
TJ, TSTG  
-55 to +150  
Note: 1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.  
2. Mounted on PCB with 12 x 12mm copper pads and measured at lead length 9.5mm from case.  
© Won-Top Electronics Co., Ltd.  
Revision: September, 2019  
www.wontop.com  
1
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与GBJ2M相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
GBJ2M-LF WTE

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 		Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, 1000V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, GBL,
GBJ30 NELLSEMI

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 		Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier, 30A
GBJ30_17 NELLSEMI

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 		Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier
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