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GBJ25B

更新时间: 2024-02-07 10:09:45
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SURGE 局域网二极管
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4页 1963K
描述
Bridge Rectifier Diode,

GBJ25B 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:R-PSFM-T4
针数:4Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.66其他特性:HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED
最小击穿电压:100 V外壳连接:ISOLATED
配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.05 V
JESD-30 代码:R-PSFM-T4JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:350 A元件数量:4
相数:1端子数量:4
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:25 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压:100 V
子类别:Bridge Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

GBJ25B 数据手册

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