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GBJ25D

更新时间: 2024-01-22 08:33:17
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SURGE 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
4页 1963K
描述
Bridge Rectifier Diode,

GBJ25D 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:R-PSFM-T4
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.59
其他特性:UL RECOGNIZED最小击穿电压:200 V
配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:R-PSFM-T4
最大非重复峰值正向电流:350 A元件数量:4
相数:1端子数量:4
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:25 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压:200 V表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
Base Number Matches:1

GBJ25D 数据手册

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