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GBJ2510-BP-HF

更新时间： 2024-01-14 09:23:17

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美微科 - MCC		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
3页	262K
描述
Bridge Rectifier Diode, 25A, 1000V V(RRM),

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技术参数
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GBJ2510-BP-HF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.66	其他特性：	UL RECOGNIZED
最小击穿电压：	1000 V	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.05 V	JESD-30 代码：	R-PSFM-T4
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值正向电流：	350 A
元件数量：	4	相数：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	25 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大重复峰值反向电压：	1000 V	子类别：	Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
Base Number Matches：	1

GBJ2510-BP-HF 数据手册

M C C

RATING AND CHARACTERISTIC CURVES

GBJ25005 thru GBJ2510

Micro Commercial Components

FIG.1 - FORWARD CURRENT DERATING CURVE

FIG.2 - MAXIMUM NON-REPETITIVE SURGE CURRENT

400

WITH HEATSINK

300

200

100

SINGLE PHASE HALF WAVE 60Hz

RESISTIVE OR INDUCTIVE LOAD

WITHOUT HEATSINK

Single Half-Sine-Wave

(JEDEC METHOD)

NUMBER OF CYCLES AT 60Hz

100

120

140

100

CASE TEMPERATURE , C

FIG.3 - TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE

FIG.4 - TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICS

1000

100

TJ = 25 C

1.0

0.1

PULSE WIDTH 300us

TJ = 25 C, f = 1MHz

1.0

0.01

100

1.0

4.0

10.0

1.4

1.6

1.2

1.8

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

REVERSE VOLTAGE , VOLTS

INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE , VOLTS

FIG.5 - TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS

1000

100

TJ = 125 C

TJ = 100 C

TJ = 50 C

1.0

0.1

TJ = 25 C

100

PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE, (%)

w w w.m c c s e m i.c o m

2 of 3

Revision: C

2013/01/01

123

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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GBJ2510G	DYELEC	SINGLE PHASE 25AMP GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER	获取价格
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