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GBI25M

更新时间： 2024-11-08 22:48:51
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON /
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2页 182K
描述
Silicon-Bridge Rectifiers

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GBI25M 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：R-PSIP-W4针数：4
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.68其他特性：UL RECOGNIZED
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PSIP-W4
JESD-609代码：e2最大非重复峰值正向电流：300 A
元件数量：4相数：1
端子数量：4最大输出电流：5 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：1000 V
表面贴装：NO端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式：WIRE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

GBI25M 数据手册

 浏览型号GBI25M的Datasheet PDF文件第2页 
GBI 25A ... GBI 25M  
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Forward Current: 25 A  
Reverse Voltage: 50 to 1000 V  
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Features  
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Mechanical Data  
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Units  
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Dimensions in mm  
1
15-10-2004 SCT  
© by SEMIKRON  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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