GBI35A ... GBI35M
GBI35A ... GBI35M
Silicon-Bridge-Rectifiers
Silizium-Brückengleichrichter
Version 2014-08-09
30±0.2
Nominal current
Nennstrom
35 A
50...1000 V
4.6±0.2
3.6±0.2
Repetitive peak reverse voltage
Type
Typ
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
30 x 3.6 x 18 [mm]
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
7 g
2.7±0.2
2.2
1.0
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
0.8
10
2x7.5
Standard packaging bulk
Standard Lieferform lose im Karton
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings
Grenzwerte
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V] 1)
Type
Typ
Max. alternating input voltage
Max. Eingangswechselspannung
VVRMS [V]
GBI35A
GBI35B
GBI35D
GBI35G
GBI35J
GBI35K
GBI35M
35
70
50
100
200
400
600
800
1000
140
280
420
560
700
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
TA = 25°C
TA = 25°C
IFRM
IFSM
i2t
80 A 2)
400/450 A
800 A2s
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
-50...+150°C
-50...+150°C
Tj
TS
Admissible torque for mounting
Zulässiges Anzugsdrehmoment
M3
7 ± 10% lb.in.
0.8 ± 10% Nm
1
2
Valid per diode – Gültig pro Diode
Valid, if leads are kept to ambient temperature TA = 50°C at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlüsse in 5 mm vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur TA = 50°C gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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