型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
GA243DR7E2473MW01# | MURATA |
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民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信 | |
GA243QR7E2103MW01# | MURATA |
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民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信 | |
GA243QR7E2222MW01# | MURATA |
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民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信 | |
GA243QR7E2223MW01 | MURATA |
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Based on the Electrical Appliance and Material Safety Law of Japan Chip Multilayer Ceramic | |
GA243QR7E2223MW01# | MURATA |
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民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信 | |
GA243QR7E2332MW01# | MURATA |
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民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信 | |
GA250KD120U | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 250A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | |
GA250TD120S | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 250A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, | |
GA250TD120U | INFINEON |
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HALF-BRIDGE IGBT DOUBLE INT-A-PAK | |
GA250TS60U | INFINEON |
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HALF-BRIDGE IGBT INT-A-PAK |