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G8371-03

更新时间: 2024-02-08 21:04:07
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HAMAMATSU 光电二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 169K
描述
InGaAs PIN photodiode

G8371-03 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:TO-5, 3 PIN
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.40.60.50
风险等级:5.84配置:SINGLE
最大暗电源:20000 nA红外线范围:YES
功能数量:1最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C光电设备类型:PIN PHOTODIODE
峰值波长:1750 nm最小反向击穿电压:2 V
形状:ROUND尺寸:3 mm

G8371-03 数据手册

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InGaAs PIN photodiode G8421/G8371/G5851 series  
Thermistor temperature characteristic  
Cooling characteristics of TE-cooler  
(Typ. Ta=25 ˚C, Thermal resistance of heatsink=3 ˚C/W)  
(Typ.)  
106  
105  
104  
40  
20  
ONE-STAGE  
TE-COOLED TYPE  
0
-20  
TWO-STAGE  
TE-COOLED TYPE  
-40  
-60  
103  
0
0.4  
0.8  
CURRENT (A)  
1.2  
1.6  
-40  
-20  
0
20  
ELEMENT TEMPERATURE (˚C)  
KIRDB0116EA  
KIRDB0231EA  
Current vs. voltage characteristics of TE-cooler  
(Typ. Ta=25 ˚C, Thermal resistance of heatsink=3 ˚C/W)  
1.6  
1.4  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
ONE-STAGE  
TE-COOLED TYPE  
TWO-STAGE  
TE-COOLED TYPE  
0
0
0.5  
1.0  
1.5  
VOLTAGE (V)  
KIRDB0115EA  
3

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