G8376-03

更新时间： 2024-01-06 07:49:02

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HAMAMATSU		半导体光电二极管光电二极管
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描述
InGaAs PIN photodiode

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G8376-03 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	TO-18, 3 PIN	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.40.60.50	风险等级：	5.58
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW NOISE
配置：	SINGLE	最大暗电源：	1.5 nA
红外线范围：	YES	安装特点：	THROUGH HOLE MOUNT
功能数量：	1	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	光电设备类型：	PIN PHOTODIODE
峰值波长：	1550 nm	最小反向击穿电压：	20 V
最大反向电压：	20 V	半导体材料：	InGaAs
形状：	ROUND	尺寸：	3 mm
子类别：	Photo Diodes	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

G8376-03 数据手册

P H O T O D I O D E

InGaAs PIN photodiode

G8376 series

Standard type

InGaAs PIN photodiodes are NIR (near infrared) detectors that feature high-speed response and low noise. Various active area sizes are

provided to meet wide applications.

Features

Applications

Low noise, low dark current

Low terminal capacitance

3-pin TO-18 package

NIR (near infrared) photometry

Optical communication

■ Specifications / Absolute maximum ratings

Absolute maximum ratings

Reverse

voltage

Operating

temperature

Topr

Storage

temperature

Tstg

Active area

Type No.

Window material

Package

TO-18

(mm)

φ0.04

φ0.08

φ0.3

(V)

(°C)

G8376-01

Borosilicate glass

with anti-reflective

coating (optimized

for 1.55 µ m peak)

G8376-02

G8376-03

G8376-05

-40 to +85

-55 to +125

φ0.5

■ Electrical and optical characteristics (Typ. Ta=25 °C, unless otherwise noted)

Terminal

capacitance

VR=5 V

f=1 MHz

Cut-off

frequency

VR=2 V

RL=50 Ω

-3 dB

Peak

sensitivity

wavelength

λp

Dark

current

Shunt

resistance

Rsh

Spectral

response

range

Photo

sensitivity

NEP

λ=λp

Type No.

VR=5 V

VR=10 mV

1.3 µm

Typ. Max.

(nA) (nA)

0.06 0.3

0.08 0.4

0.3 1.5

0.5 2.5

λ=λp

(cm· Hz^1/2/W)

(µm)

1.55

(A/W)

(W/Hz^1/2)

2 × 10^-15

4 × 10^-15

8 × 10^-15

(MHz)

(pF)

0.5

(A/W)

(MΩ)

10000

8000

1000

300

G8376-01

3000

2000

400 *

200 *

G8376-02

G8376-03

G8376-05

* VR=5 V

0.9 to 1.7

0.9

0.95

5 × 10¹²

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