G8371-01

更新时间： 2024-02-08 07:16:51

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InGaAs PIN photodiode

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G8371-01 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	TO-18, 3 PIN
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.40.60.50
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	最大暗电源：	1000 nA
红外线范围：	YES	功能数量：	1
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
光电设备类型：	PIN PHOTODIODE	峰值波长：	1750 nm
最小反向击穿电压：	2 V	形状：	ROUND
尺寸：	1 mm	Base Number Matches：	1

G8371-01 数据手册

InGaAs PIN photodiode G8421/G8371/G5851 series

ꢀ

Spectral response

Photo sensitivity temperature characteristic

(Typ.)

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

T=25 ˚C

T= -10 ˚C

T= -20 ˚C

1.6

-1

0.8

1.0

1.2

1.4

1.8

2.0

2.2

1.2 1.4 1.6 1.8

2.2 2.4 2.6

WAVELENGTH (µm)

KIRDB0221EA

KIRDB0208EA

ꢀ

Dark current vs. reverse voltage

Non-cooled type

TE-cooled type

(Typ. Ta=25 ˚C

)

(Typ.)

G5851-13 (T= -10 ˚C

10 µA

1 µA

100 nA

10 nA

)

G5851-23 (T= -20 ˚C

)

1 µA

G8371-03

G5851-21

(T= -20 ˚C

G5851-11 (T= -10 ˚C

)

G8371-01

)

100 nA

G8421-03

10 nA

1 nA

G8421-05

1 nA

G5851-103 (T= -10 ˚C

G5851-203 (T= -20 ˚C

0.1

)

100 pA

0.01

0.1

0.01

REVERSE VOLTAGE (V)

KIRDB0232EB

KIRDB0223EA

ꢀ

Shunt resistance vs. element temperature

Terminal capacitance vs. reverse voltage

(Typ. Ta=25 ˚C, f=1 MHz)

(Typ. VR=10 mV)

10 nF

10 MΩ

G8421-03

G5851-103/-203

G8371-03

G5851-13/-23

1 MΩ

100 kΩ

10 kΩ

G8421-05

1 nF

G8371-01

G5851-11/-21

G8371-01

G5851-11/-21

100 pF

10 pF

G8371-03

G5851-13/-23

G8421-05

1 kΩ

G8421-03

G5851-103/-203

1 pF

100 Ω

0.1

-40

-20

100

ELEMENT TEMPERATURE (˚C)

REVERSE VOLTAGE (V)

KIRDB0233EA

KIRDB0234EA

123 4

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