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G5SBA80-E3/45

更新时间： 2024-11-14 20:00:27

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威世 - VISHAY		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
4页	92K
描述
RECTFR BRIDGE SGL 800V 2.8A 4PIN CASE GBU - Rail/Tube

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G5SBA80-E3/45 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	R-PSFM-T4	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.19	其他特性：	UL RECOGNIZED
最小击穿电压：	800 V	外壳连接：	ISOLATED
配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.05 V
JESD-30 代码：	R-PSFM-T4	JESD-609代码：	e3
最大非重复峰值正向电流：	150 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	2.8 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	800 V	子类别：	Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE	Base Number Matches：	1

G5SBA80-E3/45 数据手册

G5SBA20, G5SBA60, G5SBA80

www.vishay.com

Vishay General Semiconductor

Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier

FEATURES

• UL recognition file number E54214

• Ideal for printed circuit boards

• High surge current capability

• High case dielectric strength of 1500 V_RMS

• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106

• Material categorization: For definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

Case Style GBU

TYPICAL APPLICATIONS

General purpose use in AC/DC bridge full wave rectification

for monitor, TV, printer, switching mode power supply,

adapter, audio equipment, and home appliances

applications.

PRIMARY CHARACTERISTICS

Package

GBU

6.0 A

I_F(AV)

MECHANICAL DATA

V_RRM

I_FSM

200 V, 600 V, 800 V

150 A

Case: GBU

Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating

Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade

I_R

5 μA

V_Fat I_F= 3.0 V

T_Jmax.

1.05 V

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD 22-B102

150 °C

E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test

Diode variations

In-Line

Polarity: As marked on body

Mounting Torque: 10 cm-kg (8.8 inches-lbs) max.

Recommended Torque: 5.7 cm-kg (5 inches-lbs)

MAXIMUM RATINGS (T_A= 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

G5SBA20

200

G5SBA60

600

G5SBA80

800

UNIT

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum RMS reverse voltage

Maximum DC blocking voltage

V_RRM

V_RWM

V_DC

140

420

560

200

600

800

T_C= 100 °C ⁽¹⁾

T_A= 25 °C ⁽²⁾

6.0

Maximum average forward rectified

output current at

I_F(AV)

2.8

Peak forward surge current single sine-wave

superimposed on rated load

I_FSM

150

Rating for fusing (t < 8.3 ms)

I²t

A²s

°C

Operating junction and storage temperature range

T_J, T_STG

- 55 to + 150

Notes

(1)

Unit case mounted on aluminum plate heatsink

Units mounted on PCB with 0.5" x 0.5" (12 mm x 12 mm) copper pads and 0.375" (9.5 mm) lead length

(2)

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

TEST CONDITIONS

SYMBOL

G5SBA20

G5SBA60

G5SBA80

UNIT

Maximum instantaneous forward

voltage per diode

3.0 A

V_F

1.05

T_J= 25 °C

5.0

Maximum DC reverse current at

rated DC blocking voltage per diode

I_R

μA

T_J= 125 °C

300

Revision: 27-Sep-13

Document Number: 88608

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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