5秒后页面跳转
G5832-12 PDF预览

G5832-12

更新时间: 2024-11-15 19:18:43
品牌 Logo 应用领域
HAMAMATSU 光电半导体
页数 文件大小 规格书
2页 1172K
描述
PIN Photodiode, TO-8, 6 PIN

G5832-12 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:TO-8, 6 PIN
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.40.60.50
风险等级:5.84配置:SINGLE
最大暗电源:1.5 nA红外线范围:YES
安装特点:THROUGH HOLE MOUNT功能数量:1
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
光电设备类型:PIN PHOTODIODE峰值波长:1550 nm
最小反向击穿电压:5 V半导体材料:InGaAs
形状:ROUND尺寸:10 mm
子类别:Photo Diodes表面贴装:NO
Base Number Matches:1

G5832-12 数据手册

 浏览型号G5832-12的Datasheet PDF文件第2页 

与G5832-12相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
G5832-13 HAMAMATSU

获取价格

PIN Photodiode, TO-8, 6 PIN
G5832-21 HAMAMATSU

获取价格

PIN Photodiode, TO-8, 6 PIN
G5832-22 HAMAMATSU

获取价格

PIN Photodiode, TO-8, 6 PIN
G5832-23 HAMAMATSU

获取价格

PIN Photodiode, TO-8, 6 PIN
G5832-25 HAMAMATSU

获取价格

PIN Photodiode, TO-8, 6 PIN
G5842 HAMAMATSU

获取价格

GaAsP photodiode
G5851-01 HAMAMATSU

获取价格

PIN Photodiode, TO-18, 3 PIN
G5851-103 HAMAMATSU

获取价格

InGaAs PIN photodiode
G5851-11 HAMAMATSU

获取价格

InGaAs PIN photodiode
G5851-13 HAMAMATSU

获取价格

InGaAs PIN photodiode