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G5832-23

更新时间: 2024-11-15 19:18:43
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HAMAMATSU 光电半导体
页数 文件大小 规格书
2页 1172K
描述
PIN Photodiode, TO-8, 6 PIN

G5832-23 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:TO-8, 6 PIN
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.40.60.50
风险等级:5.84配置:SINGLE
最大暗电源:2.5 nA红外线范围:YES
安装特点:THROUGH HOLE MOUNT功能数量:1
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
光电设备类型:PIN PHOTODIODE峰值波长:1550 nm
最小反向击穿电压:5 V半导体材料:InGaAs
形状:ROUND尺寸:10 mm
子类别:Photo Diodes表面贴装:NO
Base Number Matches:1

G5832-23 数据手册

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