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G504160D1TB1S

更新时间: 2024-11-06 18:09:51
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI /
页数 文件大小 规格书
1页 21K
描述
Voltage Multiplier Diode, Silicon,

G504160D1TB1S 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete包装说明:R-XXMA-X
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.01Is Samacsys:N
Base Number Matches:1

G504160D1TB1S 数据手册

  

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