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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.5 |
| 应用： | GENERAL PURPOSE | 配置： | COMPLEX |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | R-XXMA-X | JESD-609代码： | e0 |
| 相数： | 1 | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UNSPECIFIED |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| G504160N1EC1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
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| G504160N1EN1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Power Rectifier Assemblies Plate Heatsink |
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| G504160N1FB1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
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| G504160N1FBC1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
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| G504160N1TB1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
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| G504160N1TBC1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
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| G504160N1TC1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
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| G504160N1TN1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
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| G504160Q1EB1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Power Rectifier Assemblies Plate Heatsink |
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| G504160Q1EBC1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon, |
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