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G20120B1EBC1S

更新时间: 2024-11-09 04:50:15
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 整流二极管桥式整流二极管
页数 文件大小 规格书
1页 25K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon,

G20120B1EBC1S 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.81
配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE元件数量:4
相数:1峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

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