FY5ACJ-03A

更新时间： 2024-01-12 17:11:17

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POWEREX		晶体开关晶体管功率场效应晶体管光电二极管
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描述
Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE

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FY5ACJ-03A 技术参数

生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.34	Is Samacsys：	N
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	5 A	最大漏源导通电阻：	0.027 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	35 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FY5ACJ-03A 数据手册

MITSUBISHI Nch POWER MOSFET

FY5ACJ-03A

HIGH-SPEED SWITCHING USE

FY5ACJ-03A

OUTLINE DRAWING

Dimensions in mm

➇

➄

➃

➀

1.8 MAX.

5.0

SOURCE

GATE

DRAIN

➀ ➂

➁➃

➄➅➆➇

0.4

1.27

➆➇

➄➅

➁

➃

● 4V DRIVE

● VDSS .................................................................................. 30V

● rDS (ON) (MAX) ............................................................. 30mΩ

● ID ........................................................................................... 5A

➀

➂

SOP-8

APPLICATION

Motor control, Lamp control, Solenoid control

DC-DC converter, etc.

MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)

Symbol

VDSS

VGSS

Parameter

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Drain current

Conditions

Ratings

Unit

VGS = 0V

VDS = 0V

±20

IDM

IDA

Drain current (Pulsed)

Avalanche drain current (Pulsed) L = 10µH

Source current

1.6

ISM

Source current (Pulsed)

Maximum power dissipation

Channel temperature

6.4

1.7

°C

Tch

–55 ~ +150

0.07

Tstg

—

Storage temperature

Weight

Typical value

Sep.1998

12 3 4

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