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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TSSOP |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.38 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 20 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6 A | 最大漏极电流 (ID)： | 6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.03 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.5 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 42 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FY6BCH02E | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 6A I(D) | SO |
|
| FY6BCH-02E | POWEREX |
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暂无描述 |
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| FY6BGH-02F | RENESAS |
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MITSUBISHI Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE |
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| FY7AAJ03 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 7A I(D) | SO |
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| FY7AAJ-03 | MITSUBISHI |
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Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.03ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi |
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| FY7AAJ03A | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 7A I(D) | SO |
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| FY7AAJ-03A | POWEREX |
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Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE |
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| FY7AAJ-03A | MITSUBISHI |
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HIGH-SPEED SWITCHING USE |
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| FY7ACH03A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 7A I(D) | SO |
|
| FY7ACH-03A | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH-SPEED SWITCHING USE |
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