FY7BCH-02E

更新时间： 2024-01-27 06:56:00

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POWEREX		晶体开关晶体管脉冲光电二极管
页数	文件大小	规格书
2页	26K
描述
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 20V, 0.027ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TSSOP-8

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FY7BCH-02E 技术参数

生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	TSSOP
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.32	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (ID)：	7 A
最大漏源导通电阻：	0.021 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	49 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FY7BCH-02E 数据手册

MITSUBISHI Nch POWER MOSFET

FY7BCH-02

HIGH-SPEED SWITCHING USE

FY7BCH-02

OUTLINE DRAWING

Dimensions in mm

➇

➀

➄

➃

1.1

3.0

DRAIN

SOURCE

GATE

➀➇

➁➂➅➆

➃➄

0.275

0.65

➀

➇

➃

➄

●2.5V DRIVE

●VDSS .................................................................................. 20V

●rDS (ON) (MAX) ............................................................. 27mΩ

●ID ........................................................................................... 7A

➁➂

➅➆

TSSOP8

APPLICATION

Motor control, Lamp control, Solenoid control

DC-DC converter, etc.

MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)

Symbol

VDSS

VGSS

Parameter

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Drain current

Conditions

Ratings

Unit

VGS = 0V

VDS = 0V

±10

IDM

IDA

Drain current (Pulsed)

Avalanche drain current (Pulsed) L = 10µH

Source current

1.5

ISM

Source current (Pulsed)

Maximum power dissipation

Channel temperature

6.0

1.6

°C

Tch

–55 ~ +150

0.035

Tstg

—

Storage temperature

Weight

Typical value

Sep.1998

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