FY8AAJ-03F

更新时间： 2024-02-03 05:31:15

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瑞萨 - RENESAS		晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲光电二极管
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High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET

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FY8AAJ-03F 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.46	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8 A
最大漏极电流 (ID)：	8 A	最大漏源导通电阻：	0.028 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1.7 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	56 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

FY8AAJ-03F 数据手册

FY8AAJ-03F

High-Speed Switching Use

Nch Power MOS FET

REJ03G0280-0100

Rev.1.00

Aug.20.2004

Features

•

Drive voltage : 4 V

_DSS: 30 V

_{DS(ON) (max)}: 28 mΩ

I_D: 8 A

Outline

SOP-8

5,6,7,8

1,2,3. Source

4. Gate

5,6,7,8. Drain

1,2,3

Applications

Motor control, lamp control, solenoid control, DC-DC converters, etc.

Maximum Ratings

(Tc = 25°C)

Parameter

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Drain current

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Ratings

Unit

Conditions

V_GS= 0 V

V_DS= 0 V

±20

Drain current (Pulsed)

Avalanche current (Pulsed)

Source current

I_DM

I_DA

1.5

L = 10 µH

I_S

Source current (Pulsed)

Maximum power dissipation

Channel temperature

Storage temperature

Mass

I_SM

6.0

P_D

1.7

°C

Tch

Tstg

—

– 55 to +150

0.07

Typical value

Rev.1.00, Aug.20.2004, page 1 of 6

12 3 4 5 6 7

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