FY8ABJ-03

更新时间： 2024-09-29 22:05:15

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三菱 - MITSUBISHI		晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲光电二极管
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描述
HIGH-SPEED SWITCHING USE

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FY8ABJ-03 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.36	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8 A	最大漏极电流 (ID)：	8 A
最大漏源导通电阻：	0.02 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	56 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FY8ABJ-03 数据手册

MITSUBISHI Pch POWER MOSFET

FY8ABJ-03

HIGH-SPEED SWITCHING USE

FY8ABJ-03

OUTLINE DRAWING

Dimensions in mm

➇

➄

➃

➀

1.8 MAX.

5.0

0.4

1.27

➀ ➁➂

➃

SOURCE

GATE

DRAIN

➀ ➁➂

➃

➄➅➆➇

● 4V DRIVE

➄➅➆➇

● VDSS ............................................................................... –30V

● rDS (ON) (MAX) ............................................................. 20mΩ

● ID .........................................................................................–8A

SOP-8

APPLICATION

Motor control, Lamp control, Solenoid control

DC-DC converter, etc.

MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)

Symbol

VDSS

VGSS

Parameter

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Drain current

Conditions

Ratings

–30

Unit

VGS = 0V

VDS = 0V

±20

–8

IDM

IDA

Drain current (Pulsed)

–56

Avalanche drain current (Pulsed) L = 10µH

Source current

–8

–2.1

ISM

Source current (Pulsed)

Maximum power dissipation

Channel temperature

–8.4

2.0

°C

Tch

–55 ~ +150

0.07

Tstg

—

Storage temperature

Weight

Typical value

Sep.1998

12 3 4

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