FY7BFH-02E

更新时间： 2024-02-05 17:47:03

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三菱 - MITSUBISHI		晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲光电二极管
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4页	66K
描述
HIGH-SPEED SWITCHING USE

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FY7BFH-02E 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TSSOP
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.38	Is Samacsys：	N
配置：	COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7 A	最大漏极电流 (ID)：	7 A
最大漏源导通电阻：	0.03 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1.6 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	49 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FY7BFH-02E 数据手册

MITSUBISHI Nch POWER MOSFET

FY7BFH-02E

HIGH-SPEED SWITCHING USE

FY7BFH-02E

OUTLINE DRAWING

➇ ➄

Dimensions in mm

➀

➃

3.0

1.1

0.275

0.65

➀

➁

➃

➆ ➇

➄ ➅

SOURCE

GATE

➀ ➂

➁ ➃

ꢀ 2.5V DRIVE

ꢀ VDSS .................................................................................. 20V

ꢀ rDS (ON) (MAX) ..............................................................30mΩ

ꢀ ID ........................................................................................... 7A

DRAIN

➄ ➅➆ ➇

➂

TSSOP8

APPLICATION

Li - ion battery, etc.

MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)

Symbol

VDSS

VGSS

Parameter

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Drain current

Conditions

Ratings

Unit

VGS = 0V

VDS = 0V

IDM

IDA

Drain current (Pulsed)

Avalanche current (Pulsed)

Source current

L = 10µH

1.8

ISM

Source current (Pulsed)

Maximum power dissipation

Channel temperature

Storage temperature

Weight

7.2

1.6

°C

Tch

–55 ~ +150

0.035

Tstg

—

Typical value

Sep. 2001

12 3 4

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