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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> FXT751STZ
FXT751STZ PDF预览

FXT751STZ

更新时间： 2024-11-23 13:07:55
品牌 Logo 应用领域
捷特科 - ZETEX 晶体小信号双极晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
1页 33K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3

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FXT751STZ 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Transferred
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-W3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.15Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
JESD-30 代码：R-PSIP-W3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：200 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：WIRE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzVCEsat-Max：0.5 V
Base Number Matches：1

FXT751STZ 数据手册

  
PNP SILICON PLANAR  
FXT751  
MEDIUM POWER TRANSISTOR  
ISSUE 1 – FEB 94  
FEATURES  
*
*
*
60 Volt VCEO  
2 Amp continuous current  
Ptot= 1 Watt  
APPLICATIONS  
*
*
*
Lamp, relay or solenoid drivers  
Audio circuits  
B
C
E
Replacement of TO126 and TO220 parts  
REFER TO ZTX751 FOR GRAPHS  
E-Line  
TO92 Compatible  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
-80  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
-60  
V
-5  
V
Peak Pulse Current  
-6  
A
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
IC  
-2  
1
A
Ptot  
W
°C  
Tj:Tstg  
-55 to +200  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C unless otherwise stated).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN.  
TYP.  
MAX. UNIT  
V
CONDITIONS.  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
-80  
-60  
-5  
IC=-100µA, IE=0  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
V
V
IC=-10mA, IB=0*  
Emitter-Base  
Breakdown Voltage  
IE=-100µA, IC=0  
Collector Cut-Off  
Current  
-0.1  
-10  
VCB=-60V, IE=0  
VCB=-60V, T =100°C  
amb  
µA  
µA  
Emitter Cut-Off Current  
IEBO  
-0.1  
VEB=-4V, IC=0  
µA  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
-0.15  
-0.28  
-0.3  
-0.5  
V
V
IC=-1A, IB=-100mA*  
IC=-2A, IB=-200mA*  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
VBE(sat)  
VBE(on)  
hFE  
-0.90  
-1.25  
V
IC=-1A, IB=-100mA*  
Base-Emitter Turn-On  
Voltage  
-0.8  
-1.0  
V
IC=-1A, VCE=-2V*  
Static Forward Current  
Transfer Ratio  
70  
100  
80  
200  
200  
170  
150  
IC=-50mA, VCE=-2V*  
IC=-500mA, VCE=-2V*  
IC=-1A, VCE=-2V*  
300  
30  
40  
IC=-2A, VCE=-2V*  
Transition  
Frequency  
fT  
100  
140  
MHz  
pF  
IC=-100mA, VCE=-5V  
f=100MHz  
Output Capacitance  
Cobo  
VCB=-10V, f=1MHz  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%  
3-57  
1

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