FXT753SMTA

更新时间： 2024-11-23 13:07:55

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捷特科 - ZETEX		晶体晶体管开关局域网
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1页	47K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3

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FXT753SMTA 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.25
最大集电极电流 (IC)：	2 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	25
JESD-30 代码：	R-PSSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	VCEsat-Max：	0.5 V
Base Number Matches：	1

FXT753SMTA 数据手册

PNP SILICON PLANAR

FXT753

MEDIUM POWER TRANSISTOR

ISSUE 1 FEB 94

FEATURES

100 Volt V_CEO

2 Amp continuous current

P_tot= 1 Watt

APPLICATIONS

Lamp, relay or solenoid drivers

Audio circuits

Replacement of TO126 and TO220 devices

REFER TO ZTX753 FOR GRAPHS

E-Line

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

-120

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-100

-5

Peak Pulse Current

-6

Continuous Collector Current

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

I_C

-2

P_tot

°C

T_j:T_stg

-55 to +200

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherwise stated).

amb

PARAMETER

SYMBOL MIN.

TYP.

MAX. UNIT

CONDITIONS.

Collector-Base

Breakdown Voltage

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

-120

-100

-5

I_C=-100µA, I_E=0

Collector-Emitter

Breakdown Voltage

I_C=-10mA, I_B=0*

Emitter-Base

Breakdown Voltage

I_E=-100µA, I_C=0

Collector Cut-Off

Current

-0.1

-10

V_CB=-100V, I_E=0

V_CB=-100V, T =100°C

amb

µA

Emitter Cut-Off Current

I_EBO

-0.1

V_EB=-4V, I_C=0

µA

Collector-Emitter

Saturation Voltage

V_CE(sat)

-0.17

-0.30

-0.3

-0.5

I_C=-1A, I_B=-100mA*

I_C=-2A, I_B=-200mA*

Base-Emitter

Saturation Voltage

V_BE(sat)

V_BE(on)

h_FE

-0.90

-1.25

I_C=-1A, I_B=-100mA*

Base-Emitter Turn-On

Voltage

-0.8

-1.0

IC=-1A, V_CE=-2V*

Static Forward Current

Transfer Ratio

100

200

170

I_C=-50mA, V_CE=-2V*

I_C=-500mA, V_CE=-2V*

I_C=-1A, V_CE=-2V*

300

I_C=-2A, V_CE=-2V*

Transition

Frequency

f_T

100

140

MHz

I_C=-100mA, V_CE=-5V

f=100MHz

Output Capacitance

C_obo

V_CB=-10V, f=1MHz

*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%

3-58

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