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FX50SMJ-06-A8

更新时间： 2024-10-14 10:27:19

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瑞萨 - RENESAS		晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
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描述
High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET

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FX50SMJ-06-A8 技术参数

生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	TO-3P
包装说明：	SC-65, TO-3P, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.34	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	50 A
最大漏源导通电阻：	0.032 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	200 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FX50SMJ-06-A8 数据手册

FX50SMJ-06

High-Speed Switching Use

Pch Power MOS FET

REJ03G1453-0200

(Previous: MEJ02G0278-0101)

Rev.2.00

Aug 07, 2006

Features

•

Drive voltage : 4 V

_DSS: –60 V

_{DS(ON) (max)}: 18.9 mΩ

I_D: –50 A

Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 70 ns

Outline

RENESAS Package code: PRSS0004ZB-A

(Package name: TO-3P)

1. Gate

2. Drain

3. Source

4. Drain

2, 4

Applications

Motor control, Lamp control, Solenoid control, DC-DC converters, etc.

Maximum Ratings

(Tc = 25°C)

Parameter

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Drain current

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Ratings

–60

Unit

Conditions

V_GS= 0 V

±20

V_DS= 0 V

–50

Drain current (Pulsed)

Avalanche drain current (Pulsed)

Source current

I_DM

–200

I_DA

–50

L = 50 µH

I_S

–50

Source current (Pulsed)

Maximum power dissipation

Channel temperature

Storage temperature

Mass

I_SM

–200

P_D

150

°C

Tch

Tstg

—

– 55 to +150

4.8

Typical value

Rev.2.00 Aug 07, 2006 page 1 of 6

12 3 4 5 6 7

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与FX50SMJ-06-A8相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FX50SMJ2	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 50A I(D) \| TO-247VAR
FX50SMJ-2	MITSUBISHI	获取价格	HIGH-SPEED SWITCHING USE
FX50SMJ-2	POWEREX	获取价格	Pch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE
FX50SMJ-2	RENESAS	获取价格	High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET
FX50SMJ-2-A8	RENESAS	获取价格	High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET
FX50UM-03	POWEREX	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.04ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
FX50UM06	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 50A I(D) \| TO-220AB
FX50UM-06	POWEREX	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.022ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
FX50UM2	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 50A I(D) \| TO-220AB
FX50UM-2	POWEREX	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide