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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FX50SMJ-2-A8
FX50SMJ-2-A8 PDF预览

FX50SMJ-2-A8

更新时间： 2024-10-14 07:00:43
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
7页 174K
描述
High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET

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FX50SMJ-2-A8 技术参数

生命周期：Not Recommended零件包装代码：TO-3P
包装说明：SC-65, TO-3P, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.34Is Samacsys：N
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (ID)：50 A
最大漏源导通电阻：0.061 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：200 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FX50SMJ-2-A8 数据手册

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FX50SMJ-2  
High-Speed Switching Use  
Pch Power MOS FET  
REJ03G1454-0200  
(Previous: MEJ02G0285-0101)  
Rev.2.00  
Aug 07, 2006  
Features  
•
•
•
•
•
Drive voltage : 4 V  
DSS : –100 V  
DS(ON) (max) : 50 mΩ  
V
r
ID : –50 A  
Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 100 ns  
Outline  
RENESAS Package code: PRSS0004ZB-A  
(Package name: TO-3P)  
4
1. Gate  
2. Drain  
3. Source  
4. Drain  
1
2
2, 4  
Applications  
Motor control, Lamp con-DC converters, etc.  
Maximum Ratings  
(Tc = 25°C)  
Parameter  
Drain-source voltage  
Gate-source voltage  
Drain current  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Ratings  
–100  
Unit  
Conditions  
VGS = 0 V  
V
V
±20  
VDS = 0 V  
–50  
A
Drain current (Pulsed)  
Avalanche drain current (Pulsed)  
Source current  
IDM  
–200  
A
IDA  
–50  
A
L = 30 µH  
IS  
–50  
A
Source current (Pulsed)  
Maximum power dissipation  
Channel temperature  
Storage temperature  
Mass  
ISM  
–200  
A
PD  
150  
W
°C  
°C  
g
Tch  
Tstg  
—
– 55 to +150  
– 55 to +150  
4.8  
Typical value  
Rev.2.00 Aug 07, 2006 page 1 of 6  
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