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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.92 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 20 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 20 A | 最大漏源导通电阻： | 0.11 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FX20UMH2 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-220AB |
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| FX20UMH-2 | POWEREX |
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Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide |
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| FX20UMH3 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-220AB |
|
| FX20UMJ03 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-220AB |
|
| FX20UMJ-03 | POWEREX |
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Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.13ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| FX20UMJ06 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-220AB |
|
| FX20UMJ-06 | POWEREX |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.097ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| FX20UMJ-06 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.166ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| FX20UMJ2 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-220AB |
|
| FX20UMJ3 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-220AB |
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