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FX20VSJ-2

更新时间: 2024-01-09 10:19:05
品牌 Logo 应用领域
POWEREX /
页数 文件大小 规格书
7页 325K
描述
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, COMPACT, TO-220S, 3 PIN

FX20VSJ-2 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-220S包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.92
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:100 V最大漏极电流 (Abs) (ID):20 A
最大漏极电流 (ID):20 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):45 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

FX20VSJ-2 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FX20VSJ3 ETC

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FX2-100P-0.635SH(71) HRS

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连接器类型:插头;线束品:无;PIN数:100;额定电流:0.5 A;(AC)额定电压:A
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1.27mm Pitch Multi-function Two Piece Connector
FX2-100P-1.27DS(71) HRS

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