FX20VSJ-3

更新时间： 2024-02-06 17:17:21

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POWEREX		晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲
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描述
Pch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE

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FX20VSJ-3 技术参数

生命周期：	Not Recommended	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.36	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	150 V	最大漏极电流 (ID)：	20 A
最大漏源导通电阻：	0.32 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	80 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FX20VSJ-3 数据手册

MITSUBISHI Pch POWER MOSFET

FX20VSJ-3

HIGH-SPEED SWITCHING USE

FX20VSJ-3

OUTLINE DRAWING

Dimensions in mm

10.5 max

4.5

1.3

+0.3

–0

0.5

0.8

1 GATE

4V DRIVE

•

DRAIN

SOURCE

DRAIN

VDSS ............................................................ –150V

rDS (ON) (MAX) ................................................ 0.29Ω

•

ID ................................................................... –20A

Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) ........ 100ns

•

TO-220S

APPLICATION

Motor control, Lamp control, Solenoid control

DC-DC converter, etc.

MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)

Symbol

VDSS

VGSS

Parameter

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Drain current

Conditions

Ratings

Unit

VGS = 0V

VDS = 0V

–150

±20

–20

IDM

IDA

Drain current (Pulsed)

–80

Avalanche drain current (Pulsed) L = 30µH

Source current

–20

ISM

Source current (Pulsed)

Maximum power dissipation

Channel temperature

–80

°C

Tch

–55 ~ +150

1.2

Tstg

—

Storage temperature

Weight

Typical value

Jan.1999

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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FX2-100P-1.27DS(71)	HRS	获取价格	1.27mm Pitch Multi-function Two Piece Connector
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FX2-100P-1.27SV	HRS	获取价格	1.27mm Pitch Multi-function Two Piece Connector
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