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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 20 A | 最大漏源导通电阻： | 0.15 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FX20UM06 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-220AB |
|
| FX20UM-06 | POWEREX |
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Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| FX20UM2 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-220AB |
|
| FX20UM3 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-220AB |
|
| FX20UMH03 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-220AB |
|
| FX20UMH06 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-220AB |
|
| FX20UMH-06 | POWEREX |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| FX20UMH2 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-220AB |
|
| FX20UMH-2 | POWEREX |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide |
|
| FX20UMH3 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-220AB |
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