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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, | 针数： | 16 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 5.84 | JESD-30 代码： | R-CDIP-T16 |
| 长度： | 20.32 mm | 负电源额定电压： | -12 V |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 16 |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -30 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码： | DIP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 2.032 mm |
| 表面贴装： | NO | 技术： | MOS |
| 电信集成电路类型： | TELECOM CIRCUIT | 温度等级： | OTHER |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 7.62 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FX309 | ETC |
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CVSD Modulation Codec |
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| FX-309 | CMLMICRO |
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CONTINUOUSLY VARIABLE SLOPE DELTA MODULATION |
|
| FX3090 | CMLMICRO |
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MEETS EUROCOM D1-IA8 SPECIFICATION |
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| FX30ASH03 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-252AA |
|
| FX30ASH-03 | POWEREX |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.068ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| FX30ASJ03 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-252AA |
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| FX30ASJ-03 | MITSUBISHI |
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HIGH-SPEED SWITCHING USE |
|
| FX30ASJ-03 | POWEREX |
获取价格 |
Pch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE |
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| FX30ASJ-03 | RENESAS |
获取价格 |
High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET |
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| FX30ASJ-03-T13 | RENESAS |
获取价格 |
High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET |
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