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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, | 针数： | 20 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 5.84 | 压伸定律： | CVSD |
| 滤波器： | YES | JESD-30 代码： | R-MDIP-P20 |
| 长度： | 29 mm | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 20 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装代码： | DIP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 认证状态： | Not Qualified | 标称供电电压： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 电信集成电路类型： | CVSD CODEC | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 15.24 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FX30ASH03 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-252AA |
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| FX30ASH-03 | POWEREX |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.068ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| FX30ASJ03 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-252AA |
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| FX30ASJ-03 | MITSUBISHI |
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HIGH-SPEED SWITCHING USE |
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| FX30ASJ-03 | POWEREX |
获取价格 |
Pch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE |
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| FX30ASJ-03 | RENESAS |
获取价格 |
High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET |
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| FX30ASJ-03-T13 | RENESAS |
获取价格 |
High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET |
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| FX30B-2P-3.81DS | HRS |
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连接器类型:插头;安全规格:C-UL/CSA, UL, TüV;开口间距:3.81 mm; |
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| FX30B-2P-3.81DSA20 | HRS |
获取价格 |
连接器类型:插头;安全规格:C-UL/CSA, UL, TüV;开口间距:3.81 mm; |
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| FX30B-2P-3.81DSA25 | HRS |
获取价格 |
连接器类型:插头;安全规格:C-UL/CSA, UL, TüV;开口间距:3.81 mm; |
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