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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | DIP, |
| 针数： | 16 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | Is Samacsys： | N |
| JESD-30 代码： | R-CDIP-T16 | JESD-609代码： | e0 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 16 |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码： | DIP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 电信集成电路类型： | TELECOM CIRCUIT |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FX3090 | CMLMICRO |
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MEETS EUROCOM D1-IA8 SPECIFICATION |
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| FX30ASH03 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-252AA |
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| FX30ASH-03 | POWEREX |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.068ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| FX30ASJ03 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-252AA |
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| FX30ASJ-03 | MITSUBISHI |
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HIGH-SPEED SWITCHING USE |
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| FX30ASJ-03 | POWEREX |
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Pch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE |
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| FX30ASJ-03 | RENESAS |
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High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET |
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| FX30ASJ-03-T13 | RENESAS |
获取价格 |
High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET |
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| FX30B-2P-3.81DS | HRS |
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连接器类型:插头;安全规格:C-UL/CSA, UL, TüV;开口间距:3.81 mm; |
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| FX30B-2P-3.81DSA20 | HRS |
获取价格 |
连接器类型:插头;安全规格:C-UL/CSA, UL, TüV;开口间距:3.81 mm; |
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