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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.76 |
| Is Samacsys： | N | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.8 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FTD2002 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 3A I(D) | SO |
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| FTD2005 | SANYO |
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Ultrahigh-Speed Switching Applications |
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| FTD2007 | SANYO |
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Ultrahigh-Speed Switching Applications |
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| FTD2008 | SANYO |
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DC / DC Converter Applications |
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| FTD2008 | ALTECH |
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Connector Accessory, |
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| FTD2008M | ALTECH |
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Connector Accessory, |
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| FTD2010 | ALTECH |
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Connector Accessory, |
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| FTD2010M | ALTECH |
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Connector Accessory, |
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| FTD2011 | SANYO |
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Load Switching Applications |
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| FTD2011 | TYSEMI |
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Drain-Source Voltage VDS 20 V Gate-Source Voltage VGS -10 V |
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