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FTD2011A PDF预览

FTD2011A

更新时间： 2024-01-05 09:17:50
品牌 Logo 应用领域
三洋 - SANYO 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 54K
描述
N CHANNEL MOS SILICON TRANSISTOR

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FTD2011A 技术参数

生命周期：Transferred零件包装代码：TSSOP
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.38Is Samacsys：N
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4 A最大漏极电流 (ID)：4 A
最大漏源导通电阻：0.039 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.8 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FTD2011A 数据手册

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注文コードNo. N 7 4 7 6  
No. N 7476  
22004  
新
N チャネルM OS 形シリコン電界効果トランジスタ  
FTD2011A  
ロードS /W 用  
特長 ・低オン抵抗。  
・2.5V 駆動。  
・実装高1.1m m 。  
・複合タイプであり高密度実装可能。  
絶対最大定格AbsoluteM axim um Ratings/Ta=25℃  
unit  
ドレイン・ソース電圧  
ゲート・ソース電圧  
ドレイン電流（DC）  
ドレイン電流（パルス）  
許容損失  
V
V
20  
V
DSS  
GSS  
±12  
V
A
A
I
D
4
I
DP  
PW ≦10µs,dutycycle≦1%  
セラミック基板(1300m m 2 ×0.8m m )装着時1unit  
セラミック基板(1300m m 2×0.8m m )装着時  
20  
P
P
0.8  
1.3  
W
D
T
全損失  
W
チャネル温度  
Tch  
150  
℃
℃
保存周囲温度  
Tstg  
－55～＋150  
電気的特性ElectricalCharacteristics /Ta=25℃  
m in  
20  
typ  
m ax unit  
V
ドレイン・ソース降伏電圧  
ドレイン・ソースしゃ断電流  
ゲート・ソースもれ電流  
ゲート・ソースしゃ断電圧  
順伝達アドミタンス  
V
I =1m A,V =0  
GS  
(BR)DSS  
D
I
DSS  
V
=20V,V =0  
GS  
1
±10  
1.3  
µA  
µA  
V
DS  
GS  
DS  
DS  
I
GSS  
V
V
V
=±8V,V =0  
DS  
V
(off)  
=10V,I =1m A  
D
0.5  
5
GS  
yfs  
=10V,I =4A  
D
7
22  
S
ドレイン・ソース間オン抵抗  
R
R
(on)1 I =4A,V =4V  
GS  
39 m Ω  
DS  
DS  
D
(on)2 I =2A,V =2.5V  
GS  
30  
56 m Ω  
D
入力容量  
出力容量  
帰還容量  
Ciss  
Coss  
Crss  
V
=10V,f=1M Hz  
=10V,f=1M Hz  
740  
150  
38  
pF  
DS  
DS  
DS  
V
V
pF  
pF  
=10V,f=1M Hz  
次ページへ続く。  
単体品名表示：D2011A  
外形図ꢀ2155A  
(unit:m m )  
0.425  
3.0  
0.65  
8
5
本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を  
要する用途（生命維持装置、航空機のコント  
ロールシステム等、多大な人的・物的損害  
を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様に  
はなっておりません。そのような場合には、  
あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下  
さい。  
1:Drain1  
2:Source1  
3:Source1  
4:Gate1  
1
4
0.125  
5:Gate2  
0.25  
6:Source2  
7:Source2  
8:Drain2  
本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲  
等)を瞬時たりとも越えて使用し、その結果  
発生した機器の欠陥について、弊社は責任  
を負いません。  
SANYO :TSSOP8  
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号  
22004TS IM ◎佐藤TA-100425 No.7476-1/4  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FTD2012 ALTECH

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FTD2012 SANYO

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 		TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 4A I(D) | TSSOP
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FTD2017C-TL ONSEMI

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 		TRANSISTOR,MOSFET,COMMON DRAIN,N-CHANNEL,20V V(BR)DSS,6A I(D),TSSOP

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