5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > FTD2012
FTD2012 PDF预览

FTD2012

更新时间： 2024-01-14 09:11:13
品牌 Logo 应用领域
三洋 - SANYO 连接器连接器支架LTE
页数 文件大小 规格书
1页 14K
描述
N- Channel Silicon MOS FET Load S/W USE

阅读下载

中文翻译

获取价格

FTD2012 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TSSOP
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.76Is Samacsys：N
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.5 A最大漏极电流 (ID)：4.5 A
最大漏源导通电阻：0.034 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.3 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FTD2012 数据手册

  
FTD2012  
N- Channel Silicon MOS FET  
Load S/W USE  
TENTATIVE  
Features  
• Low ON-state resistance.  
• 4V drive.  
• Mount height of 1.1mm.  
• Complex Type enabling high density mount  
unit  
Absolute Maximum Ratings / Ta=25°C  
Drain to Source Voltage  
VDSS  
VGSS  
ID  
V
V
30  
±20  
4.5  
20  
Gate to Source Voltage  
Drain Current(DC)  
A
Drain Current(Pulse)  
IDP  
PW≤10µS, dutycycle≤1%  
Mounted on ceramic board  
(1000mm2 ✕ 0.8mm) 1unit  
Mounted on ceramic board  
(1000mm2 ✕ 0.8mm)  
A
Allowable power Dissipation  
PD  
W
0.8  
Total Dissipation  
PT  
W
1.3  
Channel Temperature  
Storage Temperature  
Tch  
°C  
°C  
150  
Tstg  
--55 to +150  
min  
30  
typ  
max  
unit  
V
Electrical Characteristics / Ta=25°C  
Drain to Source Breakdown Voltage  
V(BR)DSS  
IDSS  
IGSS  
VGS(off)  
| yfs |  
RDS(on) 1  
RDS(on) 2  
Ciss  
ID=1mA  
, VGS=0  
Zero Gate Voltage Drain Current  
Gate to Source Leakage Current  
Cutoff Voltage  
1
VDS=30V , VGS=0  
VGS=±16V , VDS=0  
VDS=10V , ID=1mA  
VDS=10V , ID=4.5A  
µA  
µA  
V
±10  
2.4  
1.0  
6.3  
Forward Transfer Admittance  
Static Drain to Source  
On State Resistance  
Input Capacitance  
S
9
34  
60  
ID=4.5A  
ID=4A  
, VGS=10V  
, VGS=4V  
mΩ  
mΩ  
pF  
pF  
pF  
ns  
26  
43  
VDS=10V , f=1MHz  
VDS=10V , f=1MHz  
VDS=10V , f=1MHz  
See Specified Test Circuit  
750  
170  
105  
12  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
Turn-ON Delay Time  
Rise Time  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
ns  
56  
"
"
"
Turn-OFF Delay Time  
Fall Time  
td(off)  
tf  
ns  
73  
ns  
38  
Total Gate Charge  
Qg  
nC  
nC  
nC  
V
18  
Gate Source Charge  
Qgs  
VDS=10V, VGS=10V, ID=4.5A  
2.3  
3.2  
0.8  
Gate Drain Charge  
Qgd  
Diode Forward Voltage  
Marking : D2012  
Switching Time Test Circuit  
1.2  
VSD  
IS=4.5A  
, VGS=0  
Case Outline  
Electrical Connection  
TSSOP8(unit:mm)  
VDD=15V  
VIN  
10V  
0V  
D2 S2 S2 G2  
3.0  
0.425  
0.65  
ID=4.5A  
8
7 6 5  
RL=3.3Ω  
VIN  
PW=10µS  
D.C.≤1%  
D
VOUT  
G
1 : Drain1  
2 : Source1  
3 : Source1  
4 : Gate1  
FTD2012  
1
2
3
4
P.G  
50Ω  
0.25  
0.125  
S
5 : Gate2  
D1 S1 S1 G1  
6 : Source2  
7 : Source2  
8 : Drain2  
Specifications and information herein are subject to change without notice.  
SANYO Electric Co., Ltd. Semiconductor Company  
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10,1 Chome, Ueno, taito-ku, 110 JAPAN  
990702TM2fXHD  
1

中文翻译

下载PDF

与FTD2012相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FTD2013 SANYO

获取价格

 		Load Switching Applications
FTD2014 SANYO

获取价格

 		Load Switching Applications
FTD2015 SANYO

获取价格

 		Load Switching Applications
FTD2016 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 4A I(D) | TSSOP
FTD2017 SANYO

获取价格

 		Load Switching Applications
FTD2017C SANYO

获取价格

 		N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
FTD2017CTL ONSEMI

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 0.024ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta
FTD2017C-TL ONSEMI

获取价格

 		TRANSISTOR,MOSFET,COMMON DRAIN,N-CHANNEL,20V V(BR)DSS,6A I(D),TSSOP
FTD2017M SANYO

获取价格

 		N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
FTD2017R SANYO

获取价格

 		N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device

与FTD2012相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证