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FTD2017C-TL

更新时间： 2024-09-29 14:50:23

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安森美 - ONSEMI		/
页数	文件大小	规格书
4页	309K
描述
TRANSISTOR,MOSFET,COMMON DRAIN,N-CHANNEL,20V V(BR)DSS,6A I(D),TSSOP

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FTD2017C-TL 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1.4 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

FTD2017C-TL 数据手册

FTD2017C

Ordering number : ENA1930

SANYO Sem iconductors

DATA S HEET

N-Channel Silicon MOSFET

General-Purpose Switching Device

Applications

FTD2017C

Features

•

Low ON-resistance

2.5V drive

•

Mount heigt 1.1mm

Composite type, facilitating high-density mounting

•

Drain common speciﬁcations

Halogen free compliance

Speciﬁcations

at Ta=25°C

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Drain-to-Source Voltage

Gate-to-Source Voltage

Drain Current (DC)

Symbol

Conditions

Ratings

Unit

±12

DSS

GSS

Drain Current (Pulse)

Allowable Power Dissipation

Total Dissipation

PW 10 s, duty cycle 1%

When mounted on ceramic substrate (1000mm²0.8mm) 1unit

When mounted on ceramic substrate (1000mm²0.8mm)

≤

1.35

1.4

150

°C

Channel Temperature

Storage Temperature

Tch

Tstg

--55 to +150

Product & Package Information

Package Dimensions

unit : mm (typ)

• Package

: TSSOP8

7006A-005

• JEITA, JEDEC

: -

• Minimum Packing Quantity : 3,000 pcs./reel

3.0

0.125

Packing Type : TL

Marking

LOT No.

D2017C

1 : Drain

0.25

2 : Source1

3 : Source1

4 : Gate1

Electrical Connection

0.65

5 : Gate2

6 : Source2

7 : Source2

8 : Drain

SANYO : TSSOP8

http://semicon.sanyo.com/en/network

No. A1930-1/4

30211PA TKIM TC-00002574

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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FTD2017R	SANYO	获取价格	N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device
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FTD2019	TYSEMI	获取价格	Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Voltage VGS -10 V
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