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FTD2011

更新时间： 2024-09-30 18:09:07

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Dual N-Channel MOSFET

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FTD2011 数据手册

SMD Type

MOSFET

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

FTD2011

TSSOP-8

Unit: mm

■ Features

● RDS(ON)=30mΩ Max. @VGS=4V

● RDS(ON)=45mΩ Max. @VGS=2.5V

1 : Drain1

2 : Source1

3 : Source1

4 : Gate1

5 : Gate2

6 : Source2

7 : Source2

8 : Drain2

■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃

Parameter

Drain-Source Voltage

Symbol

VDS

Rating

Unit

±10

Gate-Source Voltage

VGS

Drain-Current

-Continuous

-Pulsed

(NOTE 1)

(NOTE 2)

IDM

Power Dissipation

1.3

Thermal Resistance,Junction- to-Ambient

RθJA

Tj.Tstg

℃/W

℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

-55 to 150

Note: 1. PW≤10μs, duty cycle≤1%

2. Mounted on a ceramic board (1000mm²×0.8mm)

www.kexin.com.cn

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