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FT5766M

更新时间: 2024-10-27 22:32:11
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富士通 - FUJITSU 晶体晶体管功率双极晶体管达林顿晶体管开关
页数 文件大小 规格书
2页 136K
描述
SILICON DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY

FT5766M 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T12
针数:12Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.84Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):1.5 A集电极-发射极最大电压:100 V
配置:4 BANKS, DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):500
JESD-30 代码:R-PSIP-T12元件数量:4
端子数量:12最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:17 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONVCEsat-Max:1.5 V
Base Number Matches:1

FT5766M 数据手册

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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 400V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-3