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FT5767M

更新时间: 2024-10-27 22:32:11
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富士通 - FUJITSU 晶体晶体管达林顿晶体管
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2页 134K
描述
SILICON DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY

FT5767M 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T12
针数:12Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.82最大集电极电流 (IC):3 A
集电极-发射极最大电压:100 V配置:4 BANKS, DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):500JESD-30 代码:R-PSIP-T12
元件数量:4端子数量:12
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:19 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
VCEsat-Max:1.5 VBase Number Matches:1

FT5767M 数据手册

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